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IXTC200N10T
33
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
34
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
32
R G = 3.3 ?
33
R G = 3.3 ?
31
30
V GS = 10V
V DS = 50V
32
31
V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 25oC
29
28
I
D
= 50A
30
29
28
27
27
26
26
T J = 125oC
25
I
D
= 25A
25
24
23
22
24
23
22
25
35
45
55
65
75
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95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
220
85
42
75
200
180
160
140
120
100
80
60
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 50A
I D = 25A
80
75
70
65
60
55
50
45
40
38
36
34
32
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 25A
I D = 50A
70
65
60
55
50
40
20
0
40
35
30
30
28
45
40
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
38
80
200
300
37
36
T J = 125oC
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
75
70
180
160
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
275
250
140
225
35
65
120
200
34
T J = 25oC
60
100
I D = 25A
175
33
T J = 25oC
55
80
I
D
= 50A
150
32
50
60
40
125
100
31
30
T J = 125oC
45
40
20
0
75
50
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
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2
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8
10
12
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16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_200N10T(6V)9-30-08-D
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IXTC230N085T 功能描述:MOSFET 136 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC240N055T 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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